碳化硅的晶體結構

      今天為大家帶來的是關于碳化硅的晶體結構的知識，希望對大家是有幫助的。
　　SiC是以共介健為主的共價化合物，由于碳與硅兩元素在形成SiC晶體時，SiC原子中S→P電子的遷移導致能量穩定的SP3雜化排列，從而形成具有金剛石結構的SiC。因此它的基本單元是四面體。所有SiC均由SiC四面體堆積而成，所不同的只是平行結合或反平行結合。
　　SiC有75種變體，如 α -SiC、 β -SiC、3C-SiC、4H-SiC、15R-SiC等，所有這些結構可分為立方晶系、六方晶系和菱形晶系。其中 α -SiC、 β -SiC常見。 α -SiC是高溫穩定型， β -SiC是低溫穩定型。 β -SiC在2100~2400℃可轉變為 α -SiC， β -SiC可在1450℃左右溫度下由簡單的硅和碳混合物制得。利用透射電子顯微鏡和X-射線衍射技術可對SiC顯微體進行多型體分析和定量測定。
　　SiC陶瓷在許多工業領域中的應用顯示了優良的性能，因而引起了人們的普遍重視。在無機非金屬材料領域中SiC陶瓷是一個很大的家族，其觸角幾乎伸遍了所有的工業領域。但是由于SiC陶瓷的難燒結性，因而它的制作工藝和生產都較昂貴，降低SiC陶瓷的燒成溫度和尋找新的廉價的生產工藝仍是材料工作者的研究重要點。同時挖掘和開發SiC陶瓷（粉末）的所有優點造福于人類也是我們工作的重要點。SiC陶瓷有它廣闊的發展和應用前景。